[功能建议] 请求支持 FDB_WRITE_GRAN 配置为 128 (最小16字节颗粒度)，适配 STM32H5 等新平台 #397
Description
@armink 您好，
首先非常感谢您开发并维护 FlashDB 这个优秀的开源项目！它在我们的多个嵌入式项目中提供了稳定可靠的存储方案，帮我们节省了大量开发时间。
此次提 Issue 是想咨询一下，TSDB 模块未来是否有计划支持 FDB_WRITE_GRAN 配置为 128 (即 16 字节写入粒度)？
背景说明：
我们目前的项目正在迁移到 STM32H563ZI 平台。由于该系列 MCU 的 Flash 控制器 ECC 校验机制以及我们使用的底层驱动优化策略（为了减少固件体积和简化逻辑），底层驱动强制要求 Flash 的写入地址和长度必须严格 16 字节对齐。如果传入非 16 字节倍数的长度，驱动会直接报错。
当前问题：
目前 FlashDB 的 TSDB 配置中，FDB_WRITE_GRAN 最大似乎仅支持到 64 (8 字节)。当我们尝试将其配置为 128 以适配硬件约束时，发现现有逻辑可能无法兼容或不被支持。
诉求与建议：
想请教您：
后续版本是否有计划将 FDB_WRITE_GRAN 的支持范围扩展到 128？
我们非常希望能继续在该项目上使用 TSDB 功能，如果能得到您的指导或支持，我们将不胜感激。
期待您的回复，祝好！